GaN更大的優勢是，具有能耐受極高溫度的極其堅固的結構。恩智浦的GaN晶體管可指 定250 °C的最高溫度，相比之下，Si LDMOS為225 °C。在如此高溫環境下，更需要能夠充分利用此特性的封裝技術。因此，客戶將是恩智浦在RF功率產品領域30年經驗的受益者，我們的工業基地能為客戶帶來 極佳的產品可靠性、成本和高度自信的供應鏈，能做到這些的GaN供應商僅此一家。正如我們所說，GaN因此而成為主流。
第一代恩智浦GaN產品